Leistungstext:
II.1.4) Kurze Beschreibung: Anlage zur Laserablation.
Um eine thermisch induzierte Schädigung der zu bearbeitenden Materialien weitestgehend zu minimieren, muss die Ablationsanlage mit einem Ultrakurzpulslaser ausgestattet sein. Diese Anlage muss durch Schnitte und das Freilegen von Strukturen Proben aus verschiedenen Materialien derart präparieren können, so dass diese am Ende nur wenige Mikrometer dünn sind. Ferner soll die Anlage für Freiformschnitte einsetzbar sein. Die Anlage muss die Proben so präparieren können, dass das zu bearbeitende Material unbeschädigt bleibt und kein Schmutz oder Partikel an Oberflächen anhaften.
II.1.5) Geschätzter Gesamtwert Wert ohne MwSt.: 1.00 EUR
II.1.6) Angaben zu den Losen Aufteilung des Auftrags in Lose: nein
II.2) Beschreibung
II.2.3) Erfüllungsort NUTS-Code: DEA23 Köln, Kreisfreie Stadt
Hauptort der Ausführung:
Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V.
Geb. 51, Linder Höhe, 51147 Köln
Die genaue Lieferung innerhalb des Geländes wird bei Auftragsvergabe mitgeteilt.
II.2.4) Beschreibung der Beschaffung: Anlage zur Laserablation. Um eine thermisch induzierte Schädigung der zu bearbeitenden Materialien weitestgehend zu minimieren, muss die Ablationsanlage mit einem Ultrakurzpulslaser ausgestattet sein. Diese Anlage muss durch Schnitte und das Freilegen von Strukturen Proben aus verschiedenen Materialien derart präparieren können, so dass diese am Ende nur wenige Mikrometer dünn sind. Ferner soll die Anlage für Freiformschnitte einsetzbar sein. Die Anlage muss die Proben so präparieren können, dass das zu bearbeitende Material unbeschädigt bleibt und kein Schmutz oder Partikel an Oberflächen anhaften.
Die Anlage soll für folgende Zwecke eingesetzt werden:
1. Vereinzelung kompaktierter Halbleiterproben zur Herstellung miniaturisierter Halbzeuge mit Dicken/Kantenlängen/Schnittbreiten im µm-Bereich
2. Bearbeitung von keramischen Substraten und metallischen Werkstoffen zur Strukturierung von Substraten, Leiterbahnen und Verbindungselementen
3. Vorbereitung/Präparation von Proben für:
3.1 Transmissionselektronenspektroskopie
3.2 Rasterelektronenmikroskopie
3.3 Atom-Sonden-Tomographie
Die Anlage soll zur Bearbeitung von Legierungen, keramischen und metallischen Werkstoffen, sowie zur Bearbeitung von Halbleitern eingesetzt werden. Von besonderem Interesse sind folgende Materialien:
4. Legierungen:
Al-basiert, Fe-basiert, Eisen-Kohlenstoff, Eisen-Nickel, Kupfer-basiert, Nickel-basiert, Wolfram-basiert
5. Keramiken:
Al2O3, SiC, AlN, ZrO2, Si3N4, SiO2
6. Metalle:
Kupfer, Aluminium, Eisen, Molybdän, Wolfram, Titan, Silber
7. Halbleiter / Halbmetalle:
Si-basiert, FeSi2, Mg2(Si,Sn), CoSb3, Bi2Te2, MgAgSb, Mg3(Bi,Sb)2, (Zr,Hf)NiSn, ZrCoSb, NbFeSb
II.2.5) Zuschlagskriterien Der Preis ist nicht das einzige Zuschlagskriterium; alle Kriterien sind nur in den Beschaffungsunterlagen aufgeführt
II.2.6) Geschätzter Wert
II.2.7) Laufzeit des Vertrags, der Rahmenvereinbarung oder des dynamischen Beschaffungssystems Beginn: 15/11/2023
Ende: 30/11/2023
Dieser Auftrag kann verlängert werden: nein
II.2.10) Angaben über Varianten/Alternativangebote Varianten/Alternativangebote sind zulässig: nein
II.2.11) Angaben zu Optionen Optionen: nein
II.2.13) Angaben zu Mitteln der Europäischen Union Der Auftrag steht in Verbindung mit einem Vorhaben und/oder Programm, das aus Mitteln der EU finanziert wird: nein
II.2.14) Zusätzliche Angaben
PLZ-Gebiet:
51 - Köln (rechtsrheinisch ohne Deutz), Leverkusen, Bergisch Gladbach, Gummersbach
Art des Auftraggebers:
Öffentlicher Auftraggeber
Vergabeverfahren:
Offenes Verfahren (VOL/A)